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J-GLOBAL ID：200903044594575469

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小倉 卓 ,  五十嵐 信行 ,  岩本 敏幸 ,  渡辺 啓仁
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2004005997
Publication number (International publication number)：WO2004114390
Application date： Apr. 26, 2004
Publication date： Dec. 29, 2004
Summary：

本発明によれば、シリコン基板と、このシリコン基板上にシリコン含有絶縁膜を介して設けられた高誘電率金属酸化膜を有するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたシリコン含有ゲート電極と、このゲート電極の側面側に酸化シリコンを構成部材として含むサイドウォールとを有し、このサイドウォールと少なくとも前記ゲート電極の側面との間に窒化シリコン膜が介在するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置が提供される。この半導体装置は、ゲート長が短い微細構造を有しながら、低消費電力でかつ高速動作が可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、 前記シリコン基板上にシリコン含有絶縁膜を介して設けられた高誘電率金属酸化膜を有するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたシリコン含有ゲート電極と、 前記ゲート電極の側面側に酸化シリコンを構成部材として含むサイドウォールとを有し、 前記サイドウォールと少なくとも前記ゲート電極の側面との間に窒化シリコン膜が介在するMIS型電界効果トランジスタを備えた半導体装置。

IPC (1)：

H01L 29/78

FI (1)：

H01L29/78 301G

F-Term (38)：

5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA21 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG31 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH15 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13