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J-GLOBAL ID：200903068878858580

GaN系半導体素子およびその製造方法

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

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只友 一行

About 只友 一行

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湖東 雅弘

About 湖東 雅弘

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大内 洋一郎

About 大内 洋一郎


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

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Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999009681
Publication number (International publication number)：2000208813
Application date： Jan. 18, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 オーミック電極とショットキー電極とを同時に有しながら容易に製造できるGaN系半導体素子を提供することであり、また、その製造方法を提供すること。【解決手段】 n型のGaN系結晶層1上に直接または間接的に他のGaN系結晶層2を成長させ、結晶成長で形成されたままの面である前記他の結晶層2の上面2aから部分的にドライエッチングを施すことによって、前記結晶層1に部分的な露出面1bを形成する。この状態で、仕事関数5eV以上の同じ電極材料を用いて、前記2つの面2a、1bに電極を形成(好ましくは同時に)することによって、露出面1bにはオーミック電極3が形成され、結晶層2の上面2aにはショットキー電極4が形成され、GaN系半導体素子が得られる。
Claim (excerpt)：
n型のGaN系結晶層を有し、該結晶層にはドライエッチングが施されてなる面が形成され、該面には仕事関数5eV以上の電極材料が接合されてオーミック電極が形成されており、前記結晶層の表面のうち結晶成長で形成されたままの面、または前記結晶層に積層された他のGaN系結晶層には、ショットキー電極が形成されていることを特徴とするGaN系半導体素子。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/872
FI (5)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/46 B ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 P
F-Term (15)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD94 ,  4M104GG04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB36
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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