窒化物半導体レーザ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：豊栖康弘 , 石井久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004139815
Publication number (International publication number)：2004253817
Application date： May. 10, 2004
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【目的】基板となる窒化物半導体の成長方法と、窒化物半導体基板を有する新規な構造の素子を提供する。【構成】窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板1あるいは異種基板1上に成長された窒化物半導体層2の表面に、第1の保護膜11を部分的に形成し、その保護膜を介して第1の窒化物半導体3を成長させる。第1の窒化物半導体3は保護膜上に最初は選択成長されるが、成長を続けるに従って、保護膜上で隣接する窒化物半導体がつながる。第1の保護膜11上の第1の窒化物半導体3は格子欠陥が少ないので、保護膜を介して窒化物半導体を厚膜で成長させると、非常に結晶性の良い窒化物半導体基板が得られる。窒化物半導体基板を特定膜厚で成長させ、この上に素子構造を形成すると、特性の向上した良好な素子が得られる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に成長された窒化物半導体の上に、第1の保護膜を部分的に形成する第1の工程と、第1の工程後、第1の窒化物半導体を、前記窒化物半導体の上に成長させると共に、第1の保護膜の上にまで成長させる第2の工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3)：

H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/00

FI (3)：

H01L21/205 , C30B29/38 D , H01L33/00 C

F-Term (41)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077FJ03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TB05 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AA15 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AF09 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

III族窒化物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354572 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
GaN単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242967 Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (10)

III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-127521
特開平3-133182

Show all

Return to Previous Page