半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001095309
Publication number (International publication number)：2002299282
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリサイド膜の底面とpn接合界面との間の距離を広く保つことが可能であり、しかも制御性よく半導体装置を製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体領域11上に形成された第2導電型の半導体領域12上に金属膜13を形成する工程と、金属膜上に非晶質シリコン膜14を形成する工程と、熱処理により金属膜に含まれる金属と非晶質シリコン膜に含まれるシリコンとを反応させてシリサイド膜15を形成する工程とを備える。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体領域上に形成された第2導電型の半導体領域上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、熱処理により前記金属膜に含まれる金属と前記非晶質シリコン膜に含まれるシリコンとを反応させてシリサイド膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/28 301 S , H01L 29/78 301 P

F-Term (46)：

4M104BB20 , 4M104BB23 , 4M104DD02 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140BA01 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG34 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG51 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK24 , 5F140BK28 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CF04 , 5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平3-179732
特開平2-001120
特開平2-181121

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