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J-GLOBAL ID：200903044961879356

非還元性誘電体セラミックの製造方法、非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ

Inventor：
池田 潤

About 池田 潤

, 
和田 信之

About 和田 信之

, 
竹田 敏和

About 竹田 敏和


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Agent (1)： 小柴 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003147315
Publication number (International publication number)：2004345927
Application date： May. 26, 2003
Publication date： Dec. 09, 2004
Summary：
【課題】高電界下での信頼性が高くかつ誘電率の温度特性が平坦な非還元性誘電体セラミックを有利に製造できる方法を提供する。【解決手段】ABO3 系化合物(AはBa等、BはTi等)からなり、平均粒径が0.1〜0.3μmの主成分粉末と、原子番号57〜71の希土類元素化合物、Mg化合物、Mn化合物、BaZrO3 およびSi化合物の各々からなる副成分粉末とを混合し、混合粉末を成形し、成形体を還元性雰囲気中で焼成する、各工程を備え、焼成工程によって得られた誘電体セラミックに含まれるセラミック結晶は、コアシェル構造を有し、コア径<0.4×グレイン径の条件を満たし、平均グレイン径が0.15〜0.8μmであり、かつ主成分粉末の平均粉末径の1.5倍以上となるようにされる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
出発原料として、ABO3 系化合物(Aは、Ba、BaおよびCa、またはBa、CaおよびSrであり、Bは、Ti、またはTiおよびZrである。)からなり、かつ平均粉末径が0.1〜0.3μmである主成分粉末を用意するとともに、原子番号57〜71の希土類元素の少なくとも1種を含む希土類元素化合物、Mg化合物、Mn化合物、BaZrO3 およびSi化合物の各々からなる副成分粉末とを用意する工程と、 前記主成分粉末および前記副成分粉末を混合して混合粉末を得る工程と、 前記混合粉末を成形して成形体を得る工程と、 前記成形体を還元性雰囲気中で焼成する工程と を備え、 前記焼成工程によって得られた非還元性誘電体セラミックに含まれるセラミック結晶は、コアシェル構造を有し、かつコア径<0.4×グレイン径の条件を満たすとともに、その平均グレイン径が、0.15〜0.8μmであり、かつ前記主成分粉末の平均粉末径の1.5倍以上とされる、非還元性誘電体セラミックの製造方法。
IPC (4)：
C04B35/46 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12
FI (4)：
C04B35/46 C ,  C04B35/49 Z ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358
F-Term (33)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031GA03 ,  4G031GA08 ,  5E001AB03 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB02 ,  5G303AB11 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB43
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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