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J-GLOBAL ID：200903091246916811

誘電体磁器および積層型電子部品

Inventor：
神垣 耕世

About 神垣 耕世


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396623
Publication number (International publication number)：2002193667
Application date： Dec. 27, 2000
Publication date： Jul. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつ比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供し、それにより高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層型電子部品を提供する。【解決手段】金属元素としてBa、Ti、Zr、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBTZ結晶粒子と、金属元素としてBa、Ti、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBT結晶粒子とからなり、これらのペロブスカイト型結晶粒子がコアシェル構造を有し、かつ平均粒径が0.3〜1.0μmである。
Claim (excerpt)：
金属元素としてBa、Ti、Zr、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBTZ結晶粒子と、金属元素としてBa、Ti、Mgと、Y、ErおよびYbのうち少なくとも1種とを含有するペロブスカイト型のBT結晶粒子とからなり、前記BTZ結晶粒子と、前記BT結晶粒子がコアシェル構造を有し、かつ平均粒径が0.3〜1.0μmであることを特徴とする誘電体磁器。
IPC (4)：
C04B 35/49 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
FI (4)：
C04B 35/49 Z ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361
F-Term (26)：
4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031GA02 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB17 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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