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J-GLOBAL ID：200903075476358138

磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気メモリ

Inventor： 林 秀和 ,  南方 量二 ,  道嶋 正司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000065912
Publication number (International publication number)：2001257395
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来の垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッドあるいは磁気メモリとして用いるためには、磁気抵抗変化率が小さい。【解決手段】 少なくとも第1の磁性層11、高分極率層12、非磁性層13、高分極率層14、第2の磁性層15で構成され、第1の磁性層11および第2の磁性層15は垂直磁化膜からなり、高分極率層12、14はスピン分極率の大きな材料で構成される。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層で構成され、該第1及び第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子において、該第1或いは第2の磁性層と非磁性層との間に高分極率層が挿入されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/16

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/13 ,  H01F 10/16

F-Term (11)：

5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA00 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁性メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-302425   Applicant：日本ビクター株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-298566   Applicant：日本電気株式会社