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J-GLOBAL ID：200903045117905224

3-5族化合物半導体の生産性向上方法

Inventor：
家近 泰

About 家近 泰

, 
高田 朋幸

About 高田 朋幸

, 
乾 勝美

About 乾 勝美


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 久保山 隆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001385834
Publication number (International publication number)：2002270897
Application date： Dec. 03, 1996
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】特性の安定な3-5族化合物半導体の歩留まりを向上させる等の生産性を向上させる方法を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a</SB> Al<SB>b</SB> N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v</SB> Al<SB>w</SB> N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の生産性向上方法。
Claim (excerpt)：
一般式Ga<SB>a</SB> Al<SB>b</SB> N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v</SB> Al<SB>w</SB> N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の生産性向上方法。
IPC (5)：
H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
F-Term (51)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TF01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-209271   Applicant：豊田合成株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310173   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
  • 3族窒化物半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-227890   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩
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Cited by examiner (5)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-310173   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-209271   Applicant：豊田合成株式会社
  • 3族窒化物半導体レーザ素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-227890   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩
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