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J-GLOBAL ID：200903081607937392

3族窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 永井 誠二 ,  山崎 史郎 ,  小池 正好 ,  冨田 一義 ,  加地 徹 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996227890
Publication number (International publication number)：1998056236
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】活性層においてキャリアを十分に閉じ込めてレーザの出力を向上させること。【解決手段】In0.2Ga0.8N/GaN の単一量子井戸構造の活性層5の両側を活性層5よりも禁制帯幅の広いGaN のガイド層41、62で挟み、さらに、両側からAl0.08Ga0.92N から成るクラッド層4、71で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、ガイド層41、62の厚さの一部において、そのガイド層41、62の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有するAl0.15Ga0.75N から成るストッパ層42、61を形成した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体により形成され、活性層の両側を活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層で挟み、さらに、両側からクラッド層で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、前記ガイド層の厚さの一部において、そのガイド層の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有する混晶比の3族窒化物半導体から成るストッパ層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-067114   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164732   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開昭64-007587
  
• 特開平4-218994
  
• ミニバンドを有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-052135   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭64-007587
  
• 特開平4-218994