3族窒化物半導体レーザ素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996227890
Publication number (International publication number)：1998056236
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】活性層においてキャリアを十分に閉じ込めてレーザの出力を向上させること。【解決手段】In0.2Ga0.8N/GaN の単一量子井戸構造の活性層5の両側を活性層5よりも禁制帯幅の広いGaN のガイド層41、62で挟み、さらに、両側からAl0.08Ga0.92N から成るクラッド層4、71で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、ガイド層41、62の厚さの一部において、そのガイド層41、62の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有するAl0.15Ga0.75N から成るストッパ層42、61を形成した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体により形成され、活性層の両側を活性層よりも禁制帯幅の広いガイド層で挟み、さらに、両側からクラッド層で挟み込み、キャリアの閉じ込めと光の閉じ込めとを分離させたレーザ素子において、前記ガイド層の厚さの一部において、そのガイド層の禁制帯幅よりも、より広い禁制帯幅を有する混晶比の3族窒化物半導体から成るストッパ層を形成したことを特徴とする3族窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-067114 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-164732 Applicant：古河電気工業株式会社
特開昭64-007587

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