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J-GLOBAL ID：200903045439822693

AlN単結晶の製造方法

Inventor： 亀井 一人 ,  白井 善久 ,  八内 昭博
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005128206
Publication number (International publication number)：2006306638
Application date： Apr. 26, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：

【課題】フラックス法により、欠陥の少ないAlN単結晶を大きな成長速度で製造可能なAlN単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとを含むM-Al合金融液に、またはこれにさらにSiを添加したM-Si-Al合金融液に、窒化物(例、Si3N4、BN、AlN、TiN)を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板(例、バルクSiC単結晶)を接触させ、前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させる。窒化物は、合金融液を収容する内坩堝として、または合金融液中に投入した板状体として使用することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとを含むM-Al合金融液に、窒化物を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板を接触させ前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/02

FI (2)：

C30B29/38 C ,  C30B19/02

F-Term (13)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077CG06 ,  4G077EA02 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077LA05 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 窒化物単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-094078   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-360168   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-313663   Applicant：住友金属工業株式会社
• AlN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-341249   Applicant：住友金属工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-122797
  
• AlN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-315653   Applicant：住友金属工業株式会社
• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-360168   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• 溶融体からの窒化アルミニウムのバルク単結晶の成長
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-512954   Applicant：クリーインコーポレイテッド