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J-GLOBAL ID：200903045446240942

窒化物結晶の表面処理方法、窒化物結晶基板、エピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイス、ならびにエピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法

Inventor：
石橋 恵二

About 石橋 恵二

, 
西浦 隆幸

About 西浦 隆幸

, 
入倉 正登

About 入倉 正登

, 
中畑 成二

About 中畑 成二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007123731
Publication number (International publication number)：2008010835
Application date： May. 08, 2007
Publication date： Jan. 17, 2008
Summary：
【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】本窒化物結晶の表面処理方法は、窒化物結晶1の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒16が用いられ、砥粒16の標準生成自由エネルギーが酸素分子1mol当たりの換算値で-850kJ/mol以上であり、かつ、砥粒16のモース硬度が4以上である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、 酸化物の砥粒が用いられ、 前記砥粒の標準生成自由エネルギーが酸素分子1mol当たりの換算値で-850kJ/mol以上であり、かつ、 前記砥粒のモース硬度が4以上である窒化物結晶の表面処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/00 ,  H01L 33/00
FI (7)：
H01L21/304 622B ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 622W
F-Term (34)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG07 ,  4G077FG12 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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