半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999123061
Publication number (International publication number)：2000315666
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】化学機械研磨(CMP)法によって埋め込み金属配線を形成する際に問題となるディッシングやエロージョンの発生を抑制する。【解決手段】配線溝40〜44に形成したCu膜46を化学機械研磨して埋め込みCu配線46a〜46eを形成する際、砥粒の含有量が0.5%重量未満の研磨液を使用した砥粒フリー化学機械研磨(第1ステップのCMP)、砥粒の含有量が0.5重量%以上の研磨液を使用した有砥粒化学機械研磨(第2ステップのCMP)およびベンゾトリアゾール(BTA)などの防食剤が添加された研磨液を使用した選択的化学機械研磨(第3ステップのCMP)によって行う。

Claim (excerpt)：

以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体ウエハの第1の主面上の第1の絶縁膜上またはその中に、第1の導電層パターンを形成する工程、(b)前記第1の導電層パターンおよび前記第1の絶縁膜上に、第1の溝および前記第1の溝の底部に形成され、前記第1の導電層パターンに連結された第1のスルーホールを有する単一または複数の膜からなる第2の絶縁膜を形成する工程、(c)前記第2の絶縁膜の上面を覆い、前記第1の溝および前記スルーホールの内面を埋め込むように、第1の導電性バリア層を介して第1の金属膜を形成する工程、(d)前記第1の溝の外部の前記第1の金属膜を砥粒フリー化学機械研磨によって除去する工程、(e)前記(d)工程の後、前記第2の絶縁膜上の前記第1の導電性バリア層の上面に局所的に残存する前記第1の金属膜を有砥粒化学機械研磨によって除去する工程、(f)前記(e)工程の後、前記第2の絶縁膜の上面に残存する前記第1の導電性バリア層を、前記第1の金属膜を基準とした時、前記第1の導電性バリア層に対して選択的な化学機械研磨によって除去する工程。

IPC (4)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/306 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/306 M , H01L 21/88 K

F-Term (57)：

5F033HH04 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ19 , 5F033JJ23 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK19 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ19 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033XX00 , 5F033XX25 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043BB30 , 5F043DD10 , 5F043DD12 , 5F043DD15 , 5F043DD16 , 5F043DD30 , 5F043FF07 , 5F043GG03 , 5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-172447 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の研磨方法及び研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-287278 Applicant：株式会社リコー
銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-263613 Applicant：株式会社東芝

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