金属配線構造及びその形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997024472
Publication number (International publication number)：1997237838
Application date： Jan. 24, 1997
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Cuを用いた金属配線においてCuの拡散及び寄生容量の増加を防いで素子の信頼性を高めることができる金属配線構造及び形成方法を提供する。【解決手段】本発明金属配線構造は、導電線と隣接した絶縁膜の一部の密度を増加させたり、不純物の含有された変質層とする。また、本発明の金属配線形成方法は、半導体基板に形成されたシリコン酸化膜の所定領域にトレンチを形成する段階と、前記シリコン酸化膜の表面に変質層を形成する段階と、前記変質層上に導電性物質を堆積して導電線を形成する段階を有する。

Claim (excerpt)：

導電線とこれを電気的に絶縁させるための絶縁膜よりなる配線構造において、前記導電線と隣接した絶縁膜の部分を密度を増加させたり、不純物を含有させたりして変質層としたことを特徴とする金属配線構造。

IPC (3)：

H01L 21/768 , H01L 21/265 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/90 L , H01L 21/265 Y , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320039 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-289156
半導体装置の製造方法および半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-249984 Applicant：株式会社東芝

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