電界効果トランジスタを含む装置および情報を電子的に蓄積および読み出す方法および複数のメモリセルを含むメモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三俣弘文 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002161699
Publication number (International publication number)：2003046006
Application date： Jun. 03, 2002
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】有機分極可能(polarizable)ゲートトランジスタおよびさらにそのようなトランジスタを適切に構成された回路における使用を提供する。【解決手段】本発明の装置は、電界効果トランジスタのゲートコンタクトに結合された回路を有し、トランジスタのゲートは、少なくとも一部が有機誘電体である誘電体層を含む。回路は、電荷がゲートに蓄積されるようにする1以上の蓄積電圧パルスを生成するように構成される。電界効果トランジスタは、電荷の蓄積に応答して、その導電率が所与のVgに対して変化する導電性パスを有する半導体層を有する。回路は、ゲートに蓄積された電荷の消失を生じさせる1以上の蓄積パルスと反対符号の電圧を有する1以上の消失電圧パルスを生成することができる。また、有機分極化可能ゲートトランジスタ装置を使用して、情報を電子的に蓄積および読み出すメモリおよび方法が開示される。

Claim (excerpt)：

ゲートおよびゲートコンタクトを有し、前記ゲートが誘電体層を含み、前記誘電体層の少なくとも一部が有機誘電体である電界効果トランジスタと、前記ゲートコンタクトに結合された出力を有する回路とを含み、前記回路が、前記ゲート中に電荷を蓄積させる1以上の蓄積電圧パルスを生成するように構成されていることを特徴とする装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 27/105 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 51/00

FI (7)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/78 622 , H01L 27/10 444 A , H01L 29/28 , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 618 B

F-Term (22)：

5F083FR05 , 5F083FZ07 , 5F083JA01 , 5F083JA60 , 5F083LA10 , 5F101BA01 , 5F101BA62 , 5F101BD12 , 5F101BD30 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB13 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110GG05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭60-113474
強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101613 Applicant：セイコーエプソン株式会社
プラズマを利用した基材の表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-017549 Applicant：積水化学工業株式会社