高堆積速度のハロゲンドープトシリコン酸化物層を堆積させるプロセス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998126857
Publication number (International publication number)：1999008235
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】高堆積速度のハロゲンドープトシリコン酸化物層を堆積させる好適なプロセスを提供する。【解決手段】最初にプロセスガスをチャンバ内に導入することによって、基板上にシリコン酸化物膜を堆積させる。このプロセスガスは、シリコンのガス状ソース(シラン等)、フッ素のガス状ソース(SiF4等)、酸素のガス状ソース(亜酸化窒素等)、および窒素のガス状ソース(N2等)を含んでいる。RF電力成分を印加することによって、プロセスガスからプラズマを形成する。堆積は、少なくとも約1.5μm/分の速度で行なわれる。結果として得られるFSG膜は安定であり、低い誘電率を有している。

Claim (excerpt)：

基板処理チャンバ内の基板上にハロゲンドープトシリコン酸化物を堆積させるプロセスであって、ケイ素ソース、酸素ソース、ハロゲンソース、および窒素ソースを含むプロセスガスを前記チャンバ内に導入するステップと、前記プロセスガスからプラズマを形成して、前記ハロゲンドープトシリコン酸化物層を前記基板上に堆積させるステップと、を備えるプロセス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-164831 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217855 Applicant：株式会社東芝
Al系金属層のプラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008609 Applicant：ソニー株式会社

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