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J-GLOBAL ID：200903045843018776

半導体集積回路の故障解析装置及び故障解析方法

Inventor：
村上 民枝

About 村上 民枝


Applicant, Patent owner：
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

About 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

, 
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (7)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201210
Publication number (International publication number)：2004045132
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：
【課題】エミッション解析装置を用いて真の故障箇所を特定しかつその故障の要因を特定する。【解決手段】故障解析を行う半導体集積回路のファンクションテストを行い、所望の電気的特性が得られない故障箇所のノードを特定するファンクションテスタ17と、半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンに基づく発光点を検出して発光像を取得し、この発光像と、良品の半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像との差に基づいて故障解析を行い、故障箇所を特定し、その座標データを生成するエミッション解析装置23と、ファンクションテスタ17のテスト結果及びエミッション解析装置23の解析結果を受けて、故障解析を行う半導体集積回路に故障が発生しているか否かを判定すると共に故障が発生している際にその故障要因を判定する制御・判定部14とを具備している。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電源電圧及びテスト信号を発生し、故障解析を行う半導体集積回路に供給してファンクションテストを行い、所望の電気的特性が得られない故障箇所のノードを特定するファンクションテスタと、 前記電源電圧及びテスト信号を受けて動作する前記半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンに基づく発光点を検出して発光像を取得し、この発光像と、故障解析を行う前記半導体集積回路と同一種類の良品の半導体集積回路に前記電源電圧及びテスト信号と同じ電源電圧及びテスト信号を供給して動作させた際にこの良品の半導体集積回路から放出されるホットエレクトロンによる発光像との差に基づいて故障解析を行って、故障解析を行う前記半導体集積回路の故障箇所を特定し、その座標データを生成する発光像解析装置と、 前記ファンクションテスタのテスト結果及び発光像解析装置の解析結果を受けて、故障解析を行う前記半導体集積回路に故障が発生しているか否かを判定すると共に故障が発生している際にその故障要因を判定する判定装置 とを具備したことを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
IPC (3)：
G01R31/28 ,  G01R31/302 ,  H01L21/66
FI (8)：
G01R31/28 H ,  H01L21/66 B ,  H01L21/66 H ,  H01L21/66 J ,  H01L21/66 P ,  H01L21/66 T ,  G01R31/28 G ,  G01R31/28 L
F-Term (29)：
2G132AA00 ,  2G132AB01 ,  2G132AC01 ,  2G132AC14 ,  2G132AD15 ,  2G132AE14 ,  2G132AE16 ,  2G132AE18 ,  2G132AE23 ,  2G132AG01 ,  2G132AG02 ,  2G132AG12 ,  2G132AG15 ,  2G132AH03 ,  2G132AK07 ,  2G132AK14 ,  2G132AL12 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA18 ,  4M106CA42 ,  4M106CA50 ,  4M106CA51 ,  4M106DA15 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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