化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福田武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356996
Publication number (International publication number)：1999186607
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光層やp形層の電気伝導形等を考慮に入れて最適な電流阻止層を形成することで、発光をもたらす素子動作電流を有効に発光領域の略全面に拡散させ発光面積を拡張し、これにより発光出力を充分に発揮させることができるようにする。【解決手段】この発明は、n形発光層2に積層したp形半導体層3上にp形パッド電極5を設けて成る化合物半導体発光素子10において、p形半導体層3の内部に、n形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域6を電流阻止層として設け、そのイオン注入領域6の上方にp形パッド電極5を設けた、ことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

n形発光層に積層したp形半導体層上にp形パッド電極を設けて成る化合物半導体発光素子において、上記p形半導体層の内部に、n形不純物をイオン注入して形成したイオン注入領域を電流阻止領域として設け、そのイオン注入領域の上方に上記p形パッド電極を設けた、ことを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

化合物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118880 Applicant：昭和電工株式会社
発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-114828 Applicant：株式会社リコー
発光素子構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180118 Applicant：三菱電線工業株式会社

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Cited by examiner (5)

化合物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-118880 Applicant：昭和電工株式会社
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発光素子構造
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