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J-GLOBAL ID：200903046028226107

複数のフィールドプレートを有するワイドバンドギャップトランジスタ

Inventor： イーフェン ウー ,  プリミット パリーク ,  ウメシュ ミシュラ ,  マーシャ ムーア
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007513155
Publication number (International publication number)：2007537594
Application date： Apr. 14, 2005
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

ソース電極およびドレイン電極が半導体層に接触した、基板上の複数の活性半導体層を備えるトランジスタ。ゲートが、ソース電極とドレイン電極との間に、複数の半導体層上に形成される。複数のフィールドプレートが、半導体層上に配置され、各フィールドプレートは、ゲートのエッジからドレイン電極に向かって延び、また各フィールドプレートは、前記半導体層から、また他のフィールドプレートから分離される。最上部のフィールドプレートは、ソース電極に電気的に接続され、他のフィールドプレートは、ゲートまたはソース電極に電気的に接続される。

Claim (excerpt)：

チャネルを有する活性領域と、 前記活性領域と接触して形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極とドレイン電極との間に、前記活性領域上に形成されたゲートと、 複数のスペーサ層と、 複数のフィールドプレートと を備え、前記スペーサ層のうちの第1のスペーサ層は、前記ゲートと前記ドレイン電極およびソース電極との間の前記活性領域の表面の少なくとも一部の上にあり、前記フィールドプレートのうちの第1のフィールドプレートは、前記スペーサ層のうちの前記第1のスペーサ層上にあり、前記スペーサ層とフィールドプレートのうちの残りのスペーサ層とフィールドプレートは、前記スペーサ層のうちの前記第1のスペーサ層と前記フィールドプレートのうちの前記第1のフィールドプレートの上に交互に配置され、前記フィールドプレートのうちの最上部のフィールドプレートは、前記ソース電極に電気的に接続され、前記フィールドプレートのうちの前記最上部のフィールドプレートの下の前記フィールドプレートのそれぞれは、前記ゲートまたはソース電極に電気的に接続されていることを特徴とするトランジスタ。

IPC (7)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5)：

H01L29/80 F ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/44 Y ,  H01L29/58 G

F-Term (43)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB22 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF07 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH19 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GS03 ,  5F102GS06 ,  5F102GV05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• 米国特許第5,192,987号明細書
  
• 米国特許第6,548,333号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/0167023号明細書
  
• 米国特許出願公開第2003/00020092号明細書
  
• 米国特許第5,296,395号明細書
  
• 米国特許第6,586,781号明細書
  
• 米国特許第5,290,393号明細書
  
• 米国特許第5,686,738号明細書
  
• 米国特許第5,393,993号明細書
  
• 米国特許第5,523,589号明細書
  
• 米国特許第5,739,554号明細書
  
• 米国特許第6,316,793号明細書
  

Cited by examiner (5)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-069019   Applicant：富士電機株式会社
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-139656   Applicant：ローム株式会社
• 電界効果トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072445   Applicant：日本電気株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-268394   Applicant：日本電気株式会社
• 高電子移動度トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-535260   Applicant：クリーインコーポレイテッド