窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998129810
Publication number (International publication number)：1999330614
Application date： May. 13, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【目的】主として青色〜緑色領域のレーザ素子を実現すると共に、レーザ素子の高出力化を実現する。【構成】 n層とp層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、n層、若しくはp層の少なくとも一方に、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備える活性層を成長させることにより、超格子層の上に成長させる活性層、クラッド層の結晶性が良くなり長波長の素子を得ることができる。また、超格子はn層、p層両方に設け、超格子に不純物を変調ドープすることが望ましい。

Claim (excerpt)：

n型不純物を含む窒化物半導体層と、p型不純物を含む窒化物半導体層との間に、少なくともInを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、前記n型不純物を含む窒化物半導体層、若しくはp型不純物を含む窒化物半導体層の少なくとも一方には、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備えることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-136095 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-031684 Applicant：株式会社日立製作所
特開平2-228087

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