窒化物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996136095
Publication number (International publication number)：1997321381
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【目的】主として、窒化物半導体よりなるレーザ素子のVfを低下させてレーザ素子の発熱量を小さくして、室温での連続発振を目指す。【構成】基板上部に、ストライプ状のn型層、活性層およびp型層を順に有し、p型層の一部がエッチングされてn型層の表面が露出されており、そのp型層の表面にストライプ状のp電極が形成され、一方、露出されたn型層の表面にストライプ状のn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はp電極に対して、ほぼ左右対称に設けられていることにより、n電極のコンタクト抵抗が下がり、かつ電流の流れが均一になるためVfが低下する。

Claim (excerpt)：

基板上部に、ストライプ状のn型層、活性層およびp型層を順に有し、p型層の一部がエッチングされてn型層の表面が露出されており、そのp型層の表面にストライプ状のp電極が形成され、一方、露出されたn型層の表面にストライプ状のn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記n電極はp電極に対して、ほぼ左右対称に設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-318275 Applicant：日亜化学工業株式会社
発光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-263783 Applicant：日亜化学工業株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社

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