プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：西川惠清 , 森厚夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002218838
Publication number (International publication number)：2004057913
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】薄い被処理物であっても均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】対向配置された電極1、2の間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に上記電極1、2間に電圧を印加することによってプラズマを生成する。上記電極1、2の間に被処理物3を配置することによって被処理物3をプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置に関する。一方の電極1をガス流路4内に設けると共にガス流路4の他方の電極2と対向する面に誘電体で形成された多数の微細孔を有する吸着プレート6を設ける。微細孔およびガス流路4を通じて被処理物3を吸引して吸着プレート6表面に吸着させるための吸引手段7を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

対向配置された電極の間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に上記電極間に電圧を印加することによってプラズマを生成し、上記電極の間に被処理物を配置することによって被処理物をプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置において、一方の電極をガス流路内に設けると共にガス流路の他方の電極と対向する面に誘電体で形成された多数の微細孔を有する吸着プレートを設け、微細孔およびガス流路を通じて被処理物を吸引して吸着プレート表面に吸着させるための吸引手段を備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

B08B7/00 , G02F1/13 , G02F1/1333 , H05K3/26

FI (4)：

B08B7/00 , G02F1/13 101 , G02F1/1333 500 , H05K3/26 A

F-Term (20)：

2H088FA18 , 2H088FA21 , 2H088FA30 , 2H088MA20 , 2H090JB02 , 2H090JC09 , 2H090JC19 , 2H090JD01 , 3B116AA02 , 3B116AB01 , 3B116AB47 , 3B116BB89 , 3B116BC01 , 3B116CD11 , 5E343AA26 , 5E343EE08 , 5E343EE36 , 5E343EE46 , 5E343FF23 , 5E343GG11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

多数の微細な孔を有する板材の洗浄装置及び洗浄方法、並びに真空チャックのチャックプレートの洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-309094 Applicant：シーケーディ株式会社
ワークのプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-007420 Applicant：松下電器産業株式会社
回路基板のアッシング方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-346860 Applicant：積水化学工業株式会社, 株式会社ケミトロニクス

Show all

Return to Previous Page