半導体部材の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311975
Publication number (International publication number)：1998200080
Application date： Nov. 13, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】絶縁性基板等の基体上に結晶性に優れた単結晶半導体層を得るうえで、生産性、均一性、制御性、コスト面に優れ、フローパターンディフェクトやCOP(Crystal Originated Particles)の影響を受けない高品質な半導体部材を提供する。【解決手段】シリコン基板と該シリコン基板上に配された非多孔質半導体層と前記シリコン基板あるいは前記非多孔質半導体層の少なくともいずれか一方に形成されたイオン注入層とを有する第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記イオン注入層において前記多層構造体を分離する工程、前記分離された第2の基体側に残ったイオン注入層を除去する工程、とを有する半導体部材の製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と該シリコン基板上に配された非多孔質半導体層と前記シリコン基板あるいは前記非多孔質半導体層の少なくともいずれか一方に形成されたイオン注入層とを有する第1の基体を用意する工程、前記第1の基体と第2の基体とを前記非多孔質半導体層が内側に位置する多層構造体が得られるように貼り合わせる工程、前記イオン注入層において前記多層構造体を分離する工程、前記分離された第2の基体側に残ったイオン注入層を除去する工程、とを有することを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (3)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-276742 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体基板の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045441 Applicant：キヤノン株式会社
エピタキシャル成長層を絶縁層上に設ける方法及びエピタキシャル成長層を絶縁層上に有するシリコンウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-045763 Applicant：三菱電機株式会社

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