多層誘電体スタックおよびその方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001020773
Publication number (International publication number)：2001267566
Application date： Jan. 29, 2001
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOSトランジスタおよび集積回路構造に用いることができる高誘電体材料および挿入材料の交互の層を有する多層誘電体スタックを提供すること。【解決手段】多層誘電体スタックを含むICのための集積回路(IC)構造は、a)第1の誘電体材料を含み、半導体基板を覆う第1の誘電体層と、b)第2の誘電体材料を含み、第1の誘電体層を覆う第2の誘電体層と、c)第1の誘電体材料を含み、第1および第2の誘電体層を覆う第3の誘電体層と、d)誘電体スタックを覆う電極とを含む。

Claim (excerpt)：

a)ゲート電極と、b)該ゲート電極の下に上面を有するチャネル領域と、c)第1の誘電体材料を含む第1の誘電体層、第2の誘電体材料を含む第2の誘電体層、および該第1の誘電体材料を含む第3の誘電体層を含み、該ゲート電極と該チャネル領域の上面との間に挿入させたゲート誘電体スタックと、を含むMOSトランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 27/105

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 444 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体デバイス用誘電体構造及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-156625 Applicant：ナショナルセミコンダクタコーポレイション
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-000190 Applicant：富士通株式会社
特開平4-145623

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