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J-GLOBAL ID：200903046482565579

半導体装置の製造装置

Inventor：
高木 幹夫

About 高木 幹夫


Applicant, Patent owner：
株式会社エフティーエル

About 株式会社エフティーエル


Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999102825
Publication number (International publication number)：2000294511
Application date： Apr. 09, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：
【要約】【課題】 縦型ホットウール式加熱炉を使用してポリSi膜などを成長する技術において高速成長を実演する。【解決手段】 (イ)ガス案内手段-反応ガスを炉内ガスと遮断して炉内を半導体ウェーハ端縁近傍位置まで案内する;(ロ)ガス噴出手段-実質的に全量の反応ガスをガス案内手段から近傍位置で半導体シリコンウェーハの間隙に噴出する;(ハ)半導体ウェーハ支持手段-ウェーハを5mm以上の間隔で下側から支える;(ニ)ウェーハ回転手段。(ホ)ウェーハ装入手部材より構成される。
Claim (excerpt)：
反応管を内装した加熱炉と、前記反応管内に形成された均熱空間内に位置し、かつ横置きされた半導体シリコンウェーハに化学気相成長もしくは直接反応による皮膜を形成する反応部とを含んでなる半導体装置の製造装置において、前記反応ガスを炉内ガスと遮断して炉内を半導体シリコンウェーハ端縁近傍位置まで案内する第1のガス案内手段と、実質的に全量の反応ガスを第1のガス案内手段から前記近傍位置で半導体シリコンウェーハの間隙に噴出する手段と、半導体シリコンウェーハを5mm以上の間隔で下側から支える支持手段を設けた板状基板と、ウェーハ面に直交する軸を中心として前記板状基板を回転させる駆動手段と、前記半導体シリコンウェーハを加熱炉外で出し入れする際に該半導体シリコンウェーハと板状基板との間に進退可能なウェーハ装入出部材とを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/31
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B
F-Term (25)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA29 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030KA04 ,  5F045AB03 ,  5F045AF03 ,  5F045BB03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EG05 ,  5F045EM08 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-081392   Applicant：東京エレクトロン東北株式会社
  • 熱処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-067047   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 半導体ウエハ用ボート
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-194607   Applicant：富士電機株式会社
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