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J-GLOBAL ID：200903046571957278

銅の堆積方法および集積回路

Inventor： ツゥエ ヌエン ,  ローレンス ジェイ. チャレニイスキー ,  リン アール. アレン
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  シャープ・マイクロエレクトロニクス・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997198991
Publication number (International publication number)：1998098043
Application date： Jul. 24, 1997
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 集積回路基板内の拡散バリアー材料への銅の接着を向上させた銅の堆積方法および集積回路を提供する。【解決手段】 拡散バリアーは、反応性酸素種または酸素を含有するプラズマに曝される。酸素環境への曝露に反応して、拡散バリアーの薄い層、典型的には50Åより薄い層が酸化される。次に、銅がCVDにより酸化された拡散バリアー表面に堆積される。酸化層は銅と拡散バリアー表面との間の結合を向上させる。

Claim (excerpt)：

選択された集積回路(IC)表面にCuを堆積する方法であって、該選択されたCu受容表面は、ほぼ該ICの選択された領域に堆積された拡散バリアー材料の表面上に存在し、a)該選択されたCu受容表面のそれぞれを反応性酸素種に曝すステップと、b)ステップa)の酸素への曝露に反応して該拡散バリアー材料表面の薄い層を酸化させるステップと、c)ステップb)で形成された酸化層が約30Åを超える前に該拡散バリアー材料の酸素への曝露を停止するステップとを包含し、このことにより、該比較的薄い酸化層によって、該拡散バリアー材料の受容表面がCuに接着するように形成される、方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/285

FI (3)：

H01L 21/88 M ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/285 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化チタン膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-293309   Applicant：ソニー株式会社
• 配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-260464   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-266276   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 金属導体と他の金属との間の反応を最小化する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063303   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 半導体装置の製造方法及び化学気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-024073   Applicant：株式会社東芝