面発光レーザとそれを用いたレーザ光送信モジュール及び応用システム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998002068
Publication number (International publication number)：1999204875
Application date： Jan. 08, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】優れた特性の面発光レーザを歩留まり良く生産する事により、それを光源として利用したレーザ光送信モジュール及び光インターコネクション、あるいは光ファイバー通信等の応用システムを安価に提供する。また、直列抵抗が低い優れた特性の長波長帯(1.2から1.6μm)の面発光レーザを提供する。【解決手段】 1;n型GaAs基板、2;n型半導体多層膜反射鏡、3;第1GaAsスペーサ層、4;活性層、5;第2GaAsスペーサ層、6;電流狭窄層、7;p型GaAs電流導入層、8;再成長界面、9;p型第3GaAsスペーサ層、10;多層膜反射鏡等により面発光レーザを構成する。 AlInP、AlGaInP、もしくはAlAs等のバンドギャプが2eV以上のワイドギャップ半導体を電流狭窄層6に用い、ホトリソグラフ工程と再成長工程によりアパーチャー層を形成することで歩留まりを大きく改善できる。

Claim (excerpt)：

基板結晶上に光を発生する活性層と前記活性層から発生した光からレーザ光を得る為に活性層の上下を反射鏡で挟んだ共振器構造を有し、前記基板結晶と垂直に光を出射する面発光レーザにおいて、バンドギャプが2eV以上のワイドギャップ半導体からなる電流狭窄層を有することを特徴とする面発光レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222920 Applicant：日亜化学工業株式会社
面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215233 Applicant：富士通株式会社
面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-211554 Applicant：技術研究組合新情報処理開発機構, 富士通株式会社

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