プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003301366
Publication number (International publication number)：2005072345
Application date： Aug. 26, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】製造コストの上昇やダメージの発生などを抑制した状態で、より高い密度のプラズマが得られるようにする。【解決手段】密閉可能な処理室101の内部に、処理対象の基板Wが載置される下部電極102,下部電極102に対向配置される上部電極103を備えている。下部電極102,上部電極103は、各々処理室101の内部で絶縁分離された状態で固定されている。上部電極103と下部電極102との間には、高周波電源106より高周波電力が供給可能とされている。加えて、アノードとなる上部電極103の下部電極102との対向面に、例えば複数のカーボンナノチューブから構成された電界放出型の電子供給源110を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

処理容器内でプラズマを発生させて発生させたプラズマの作用により所定の処理を行うプラズマ処理装置において、前記処理容器内に配置された電界放出型の電子供給源を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46

FI (3)：

H01L21/302 101B , H01L21/205 , H05H1/46 M

F-Term (10)：

5F004AA06 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004BB32 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045BB16 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

プラズマ装置における高周波給電装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-237786 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-059876 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-308310 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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