カーボンナノチューブの加工法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002218752
Publication number (International publication number)：2004058194
Application date： Jul. 26, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：

【課題】1本のカーボンナノチューブをその任意の位置で切断することや、1本のカーボンナノチューブを変形させたり、カーボンナノチューブを接合したり、カーボンナノチューブを他の物質に固定したりすることができるイオンビーム照射法以外の新たな加工法を得ることにある。【解決手段】真空中でカーボンナノチューブに電子線を照射して加工を施す。切断加工での照射条件は真空度:1×10-8〜1×10-3Pa、電子線加速電圧:200kV以上、電子線照射電流密度:7.51×106A/mm2〜2.1×1010A/mm2、電子線ビーム径:100nm以下と、変形、接合、固定加工での照射条件は、真空度:1×10-8〜1×10-3Pa、電子線加速電圧:5〜30kV、電子線照射電流密度:2.54×104A/mm2〜4.89×106A/mm2、電子線照射範囲:350nm×500nm以下とされる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

真空中でカーボンナノチューブに電子線を照射してカーボンナノチューブに加工を施すことを特徴とするカーボンナノチューブの加工法。

IPC (1)：

B82B3/00

FI (1)：

B82B3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

電界放出型電子放出素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-204011 Applicant：株式会社リコー
カーボン材料の構造制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322205 Applicant：ソニー株式会社
カーボン系水素貯蔵材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-209228 Applicant：本田技研工業株式会社

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