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J-GLOBAL ID：200903046897279474

洗浄・乾燥処理方法及びその装置

Inventor：
上川 裕二

About 上川 裕二


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997195060
Publication number (International publication number)：1999026420
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 乾燥効率の向上及び乾燥ガスの消費量の低減を図れるようにすること。【解決手段】 洗浄槽22内に供給される薬液等に被処理体Wを接触して薬液処理した後、洗浄槽22内にリンス液を供給すると共に、オーバーフローさせつつウエハWを一次洗浄する。一次洗浄後、ウエハWを乾燥室23内に移動し、乾燥ガスをウエハWに接触させて予備乾燥を行い、ウエハWを再び洗浄槽22内に移動し、純水をオーバーフローさせつつウエハWを二次洗浄する。二次洗浄後、ウエハWを再び乾燥室23内に移動し、乾燥ガスをウエハWに接触させ、凝縮させて乾燥する。
Claim (excerpt)：
洗浄室内に収容された被処理体に薬液を接触させる薬液処理工程と、上記洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を洗浄する一次洗浄処理工程と、上記被処理体を上方の乾燥室内に移動して、乾燥室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを被処理体に接触させる乾燥ガス接触処理工程と、上記被処理体を再び上記洗浄室内に移動して、洗浄室内でリンス液をオーバーフローさせつつ上記被処理体を洗浄する二次洗浄処理工程と、上記被処理体を再び上記乾燥室内に移動して、乾燥室内に乾燥ガスを供給し、乾燥ガスを上記被処理体に接触させて乾燥する乾燥処理工程と、を有することを特徴とする洗浄・乾燥処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 361 ,  F26B 7/00
FI (4)：
H01L 21/304 341 T ,  H01L 21/304 351 C ,  H01L 21/304 361 H ,  F26B 7/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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