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J-GLOBAL ID：200903047013645991

分光エリプソメータを用いた多結晶化合物半導体の組成決定方法

Inventor：
ナバトバーガバイン,ナタリア

About ナバトバーガバイン,ナタリア

, 
和才 容子

About 和才 容子


Applicant, Patent owner：
株式会社堀場製作所

About 株式会社堀場製作所


Agent (1)： 井ノ口 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002122579
Publication number (International publication number)：2003315257
Application date： Apr. 24, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、エリプソメータを用いて得たデータから、多結晶化合物半導体の組成を算出する測定方法を提供する。【解決手段】スペクトル測定段階10は、計測対象の前記多結晶化合物半導体層を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルを得る。解析段階20,30は、複数種類のモデルを得て、モデルごとに化合物半導体の組成比率、混合比、膜厚、分散式等について前記測定スペクトルとのフィッティングを行い、最良のモデルを決定する。計算段階40は、前記選択された最良モデルの各結晶化合物半導体の混合比と前記結晶化合物半導体中の注目原子の組成比率に基づいて多結晶化合物半導体注目原子の濃度を算出する。
Claim (excerpt)：
分光エリプソメータを用いた多結晶化合物半導体の組成決定方法であって、計測対象の基板上の前記多結晶化合物半導体層を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,ΔE スペクトル測定段階と、基板の複素屈折率(N0,( n0,k0))および各層の考えられる複素屈折率(N1,( n1,k1)、N2,( n2,k2)・・・)、各層の膜厚を設定し、多結晶化合物半導体層の複素屈折率には、注目原子が入っている結晶化合物半導体リファレンスと注目原子が入っているアモルファス化合物半導体とさらに注目原子が入っていない結晶化合物半導体リファレンスなどを混ぜ合わせて使用し、いくつかのモデルをたてる第1ステップと、前記各モデルについて、膜厚や混合比を変数として、未知のアモルファス化合物半導体の分散式をフィッティングする第2ステップと、前記フィッティングの結果からX2が最も低く、さらにアモルファス化合物半導体の混合比が最小の結果を選択する第3ステップ、前記複数のモデルごとに得られた最良の結果の中から、X2が最も低く、さらにアモルファス化合物半導体の混合比が最小の結果を選択する第4ステップからなる解析第1段階を含む、分光エリプソメータを用いた多結晶化合物半導体の組成決定方法。
IPC (2)：
G01N 21/21 ,  H01L 21/66
FI (2)：
G01N 21/21 Z ,  H01L 21/66 L
F-Term (22)：
2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059CC02 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE12 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ18 ,  2G059JJ19 ,  2G059MM01 ,  2G059MM02 ,  2G059MM03 ,  4M106AA10 ,  4M106BA04 ,  4M106CA21 ,  4M106CB21 ,  4M106DH31 ,  4M106DH37 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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