1つ又は複数のスルーホールを備えた半導体構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003537117
Publication number (International publication number)：2005506701
Application date： Oct. 15, 2002
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：

1つ又は複数のスルーホールを備えた半導体構造が開示される。フィードスルー金属被覆プロセスが該スルーホールを密封するのに使用できる。

Claim (excerpt)：

表面及び裏面を本質的に反対側に有し、1つ又は複数のスルーホールを備えた半導体構造を提供するための方法であって、該1つ又は複数のスルーホールの位置に対応する1つ又は複数の裏面領域において、該裏面から該半導体構造をエッチングすること;及び該1つ又は複数のスルーホールの位置に対応する1つ又は複数の表面領域において、該表面から該半導体構造をエッチングすることを含んで成る、1つ又は複数のスルーホールを備えた半導体構造を提供するための方法。

IPC (4)：

H01L23/52 , G02B6/122 , H01L23/02 , H01L23/38

FI (4)：

H01L23/52 C , H01L23/02 J , H01L23/38 , G02B6/12 A

F-Term (9)：

2H047KA02 , 2H047KB08 , 2H047MA07 , 2H047PA21 , 2H047PA24 , 2H047QA05 , 2H047QA07 , 5F036AA01 , 5F036BA33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

転写マスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038965 Applicant：ホーヤ株式会社
半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-330476 Applicant：日本電気株式会社
超小形集積電子デバイスにおける両面貫通接触の形成方法及び本方法で形成された超小形集積電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-330573 Applicant：エスティーマイクロエレクトロニクスソチエタレスポンサビリタリミテ

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