レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995328223
Publication number (International publication number)：1997148267
Application date： Nov. 22, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【目的】被処理基体にレーザー光を照射してレーザーアニールを行うに際し、被処理基体上面の有機物を除去する。【構成】酸素または水素プラズマ雰囲気中にて、レーザーアニールを行う。特に、酸素プラズマ雰囲気中でのレーザーアニールを、非単結晶珪素膜に対して行うことで、該膜の結晶性、均質性が向上する。また、酸素または水素のプラズマによって、珪素膜の表面に存在する有機物を除去することができる。

Claim (excerpt)：

半導体膜の表面をプラズマによって処理させながらレーザー光の照射によるアニールを行うことを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (3)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/20 , H01L 21/324 P , H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

多結晶シリコン膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及びリモートプラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-142529 Applicant：富士ゼロックス株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-015721 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の作製方法及び半導体装置の作製装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-100642 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Show all

Return to Previous Page