遠紫外線フォトレジスト膜堆積方法及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997307399
Publication number (International publication number)：1998189440
Application date： Nov. 10, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】商業的レベルで有用なPPMSフォトレジスト膜の堆積方法及び装置。【解決手段】プラズマ重合メチルシラン(PPMS)感光性レジスト材料を形成するための改良方法と改良装置は、チャンバを約1Torrから約2 Torrの間に加圧するステップと、基板を約50°Cと約200°Cの間に加熱するステップと、前駆体メチルシランガスをプラズマ重合して、高い堆積速度の下で高い光電感度を有する安定した膜を堆積するステップとを含む。

Claim (excerpt)：

処理チャンバ内に配設された基板上に、感光レジスト層を堆積するためのプロセスであって、前記処理チャンバは、前駆体ガスの流れを受け取るように連結されており、また、プラズマを飛ばすための電極と、チャンバを所望の圧力にまで排気するための真空システムと、熱エネルギーを供給して基板を加熱するための基板加熱システムとを有し、前記プロセスは:前記チャンバ内のプロセス圧力を、約1 Torrと約2 Torrの間に設定するステップと、前記基板を約50°Cと約200°Cの間の温度に加熱するために、熱エネルギーを提供するステップと、メチルシランの前駆体ガスを前記チャンバ内へ流すステップと、電磁エネルギーを前記電極に提供して、プラズマを飛ばし、前記メチルシラン前駆体ガスをプラズマ重合させ、プラズマ重合メチルシラン(PPMS)層を前記基板上に堆積させるステップと、とを有するプロセス。

IPC (4)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 501 , H01L 21/02 , H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/30 564 Z , G03F 7/38 501 , H01L 21/02 Z , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-297435
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-046674 Applicant：株式会社日立製作所
非晶質半導体薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-322801 Applicant：三井東圧化学株式会社

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