成膜方法およびこれに用いるプラズマ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994016562
Publication number (International publication number)：1995226378
Application date： Feb. 10, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】高密度プラズマを用いたTi系材料膜のCVDにおいて、カバレージと膜質を改善する。【構成】ヘリコン波プラズマ装置のベルジャ1を窒化シリコンを用いて構成し、この装置内でTiCl4 /H2 混合ガス、およびTiCl4 /H2 /N2 混合ガスを用いてTi/TiN積層膜を連続成膜する。【効果】上記装置はウェハW近傍の磁場がECR装置と比べて弱いため、Ti/TiN積層膜のカバレージが均一となる。また、窒化シリコンからなるベルジャ1からは従来の石英と異なり、器壁からプラズマ中へ酸素が放出されないので混合ガス中のH2 が消費されない。さらにヘリコン波プラズマPH の高い放電解離効率の寄与が加わり、TiCl4 の未解離成分や未反応成分の発生、およびこれらの膜中への取り込みが減少し、塩素の拡散による配線の信頼性低下を防止できる。

Claim (excerpt)：

高真空容器内でプラズマCVDを行うことにより基板上に所定の材料膜を成膜する成膜方法において、成膜時の前記基板近傍を弱磁場ないし実質的な無磁場とする条件下で前記プラズマCVDを行う成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , H01L 21/28 301 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262784 Applicant：日本電信電話株式会社
プラズマCVDによる成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104907 Applicant：新日本製鐵株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292547 Applicant：日電アネルバ株式会社

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