結晶薄膜基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256036
Publication number (International publication number)：2000077287
Application date： Aug. 26, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】支持基板が高温に曝されることを防止して、支持基板として使用できる材料の範囲拡大を可能にする。【解決手段】この製造方法は、結晶基板2に水素イオンまたはヘリウムイオン4を注入する注入工程(図1A)と、次いで結晶基板2のイオン注入面6を結晶基板2の自重で基板台18に押圧した状態で、結晶基板2を加熱してイオン注入位置8にボイドを形成するボイド形成工程(図1B)と、次いで結晶基板2のイオン注入面6に支持基板10を接着材を用いて接着する接着工程(図1C)と、次いで結晶基板2と支持基板10とを結晶基板2中のイオン注入位置8で剥離させて、支持基板10上に結晶薄膜12を得る剥離工程(図1D)とを備えている。

Claim (excerpt)：

支持基板上に結晶薄膜を形成した構造の結晶薄膜基板を製造する方法において、シリコンまたはその化合物から成る結晶基板に水素イオンまたはヘリウムイオンを注入する注入工程と、次いで前記結晶基板のイオン注入面を支持基板以外の押圧手段で押圧した状態で、当該結晶基板を加熱して前記イオンの注入位置にボイドを形成するボイド形成工程と、次いで前記結晶基板のイオン注入面に支持基板を接着材を用いて接着する接着工程と、次いで前記結晶基板と前記支持基板とを前記結晶基板中の前記イオンの注入位置で剥離させて、前記支持基板上に結晶薄膜を得る剥離工程とを備えることを特徴とする結晶薄膜基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 21/02 B , H01L 21/20 , H01L 21/265 Q

F-Term (6)：

5F052AA11 , 5F052DA01 , 5F052HA06 , 5F052JA09 , 5F052JA10 , 5F052KB00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体材料薄層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-126005 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
半導体部材の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-311975 Applicant：キヤノン株式会社
張り合わせSOI基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-307719 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"A "smarter-cut" approach to low temperature silicon layer transfer"

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