窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002054387
Publication number (International publication number)：2003257998
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】結晶性・電気的特性及び再現性に優れた窒化物系III-V族化合物半導体装置を製造することを課題とする。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板材料としてSiCを用い、該SiC基板を、水素雰囲気中、塩化水素又は不活性ガスでエッチングする工程を経た後、該SiC基板上にAlN層を形成する工程と、更にその上に比抵抗1Ωcm以上1×105Ωcm以下を有するGaN層を形成する工程と、更にその上にアンドープGaN層を形成する工程と、更にその上にアンドープAlGaN層を形成する工程と、更にその上にSiドープAlGaN層を形成する工程を含む窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

窒化物系III-V族化合物半導体装置において、基板材料としてSiCを用い、該SiC基板を、水素雰囲気中、塩化水素又は不活性ガスでエッチングする工程を経た後、該SiC基板上にAlN層を形成する工程と、更にその上に比抵抗1Ωcm以上1×105Ωcm以下を有するGaN層を形成する工程とを含む窒化物系III-V族化合物半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/338 , H01L 21/205 , H01L 21/302 201 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 201 A , H01L 29/80 H

F-Term (21)：

5F004AA07 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA29 , 5F004DB19 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045BB03 , 5F045BB16 , 5F045HA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-235336 Applicant：日本電信電話株式会社
SiC半導体の表面モホロジー制御方法およびSiC半導体薄膜の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-084510 Applicant：富士電機株式会社
炭化けい素半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-286795 Applicant：富士電機株式会社

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Hydrogen Etching of Silicon Carbide

Return to Previous Page