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J-GLOBAL ID：200903048283290903

圧電体薄膜素子、これを用いたインクジェット式記録ヘッド、並びに圧電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 村井 正己 ,  角 浩二 ,  邱 宏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998096753
Publication number (International publication number)：1999191646
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【目的】 良好な圧電体特性を得るための結晶配向、結晶形状、及び結晶粒径を確実に達成することができる圧電体素子を提供する。【構成】 多結晶体からなる圧電体薄膜15と、圧電体薄膜を挟んで配置される上部電極と下部電極14とを備え、下部電極の結晶粒界に圧電体の結晶の核となるチタン14Aが島状に形成されている。

Claim (excerpt)：

多結晶体からなる圧電体薄膜と、当該圧電体薄膜を挟んで配置される上部電極と下部電極と、を備えた圧電体薄膜素子であって、前記下部電極の圧電体側にこの圧電体の結晶の核となる結晶源が島状に形成されてなる圧電体薄膜素子。

IPC (5)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 41/22

FI (4)：

H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 薄膜圧電体素子およびそれを用いたインクジェット記録ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-169750   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148046   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 結晶性薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-257970   Applicant：ローム株式会社
• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-297213   Applicant：シャープ株式会社
• 複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-142757   Applicant：ローム株式会社