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J-GLOBAL ID：200903048340923942

III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor：
加藤 久喜

About 加藤 久喜

, 
小出 典克

About 小出 典克


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092291
Publication number (International publication number)：2000286449
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高品質のIII族窒化物系化合物半導体素子を再現性良く製造する方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の側壁を拡散防止層18で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる。
Claim (excerpt)：
シリコン基板の側壁を拡散防止層で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/343
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A ,  H01S 3/18 677
F-Term (54)：
5F041AA41 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045AF13 ,  5F045BB06 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045HA12 ,  5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA08 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA20 ,  5F049SS03 ,  5F049SS10 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05 ,  5F073AA72 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (7)
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