III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999092291
Publication number (International publication number)：2000286449
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高品質のIII族窒化物系化合物半導体素子を再現性良く製造する方法を提供する。【構成】シリコン基板11の側壁を拡散防止層18で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の側壁を拡散防止層で被覆した状態でIII族窒化物系化合物半導体を前記シリコン基板の上面に成長させる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01S 5/343

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 31/10 A , H01S 3/18 677

F-Term (54)：

5F041AA41 , 5F041CA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AF03 , 5F045AF11 , 5F045AF13 , 5F045BB06 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045HA12 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA08 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049PA20 , 5F049SS03 , 5F049SS10 , 5F049WA03 , 5F049WA05 , 5F073AA72 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-034535
半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-099367 Applicant：信越半導体株式会社
特開平2-197128

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