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J-GLOBAL ID：200903048571615710

半導体素子および半導体ウエハならびにその製造方法

Inventor：
國里 竜也

About 國里 竜也

, 
林 伸彦

About 林 伸彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999265362
Publication number (International publication number)：2001093834
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 大面積化が可能でかつ品質の高いGaN系半導体ウエハおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 8〜12インチの大きさW1 のSi基板1上にアンドープInGaNからなるInGaNバッファ層2を形成し、さらにその上にGaN層3を形成する。このようにして形成された半導体ウエハ200においては、InGaNバッファ層2により、Si基板1とGaN層3との格子定数の差および熱膨張係数の差が緩和される。それにより、熱歪みが発生せず結晶性が良好でかつ大面積のGaN層3を有する半導体ウエハ200が実現される。
Claim (excerpt)：
少なくともインジウムを含む窒化物系半導体から構成されるバッファ層と、窒化ガリウム層とが順に形成されたことを特徴とする半導体ウエハ。
IPC (5)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5)：
H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (50)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF02 ,  5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB15 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052JA07 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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