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J-GLOBAL ID：200903061511004483

窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法

Inventor：
鈴 木 伸 洋

About 鈴 木 伸 洋

, 
菅 原 秀 人

About 菅 原 秀 人


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997302918
Publication number (International publication number)：1999145514
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：
【要約】【課題】 SiC基板やシリコン基板などの各種基板上に、高品質かつ膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を積層してなる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 SiCやシリコンなどの基板上にインジウムを含んだ窒化ガリウム系半導体のバッファ層を堆積することにより、その上に高品質の窒化ガリウム系半導体層を厚く成長することができる。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板の上に積層された少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に積層された少なくとも1層以上の窒化ガリウム系半導体層と、を備え、前記基板と前記窒化ガリウム系半導体層との熱膨張率の差に起因する応力が前記バッファ層により緩和されるようにしたものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (18)
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