化学気相成長用原料及びこれを用いたセラミックスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：羽鳥修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001151553
Publication number (International publication number)：2002348669
Application date： May. 21, 2001
Publication date： Dec. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】化学気相成長(CVD)法において、組成制御が容易であり、ドーパントの局在化を抑制できる化学気相成長(CVD)用原料及びこれを用いたセラミックスの製造方法を提供する。【解決手段】下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表される金属化合物を含有してなる化学気相成長用原料。【化1】

IPC (6)：

C23C 16/42 , C03B 19/14 , C07F 7/18 , C07F 7/28 , C07F 7/30 , C07F 19/00

FI (6)：

C23C 16/42 , C03B 19/14 A , C07F 7/18 F , C07F 7/28 G , C07F 7/30 Z , C07F 19/00

F-Term (19)：

4G014AH23 , 4H049VN01 , 4H049VN02 , 4H049VN05 , 4H049VP05 , 4H049VQ02 , 4H049VQ20 , 4H049VQ78 , 4H049VR23 , 4H049VR43 , 4H049VU36 , 4H050AA01 , 4H050AB84 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-068853 Applicant：川崎製鉄株式会社
光導波路成膜装置および光導波路成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-028452 Applicant：日本発条株式会社
光導波路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-314935 Applicant：日本電気株式会社

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