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J-GLOBAL ID：200903043101373122

高誘電率材料のための酸化ジルコニウム及び酸化ハフニウムを形成する方法

Inventor： サイモン・チョーイ ,  ウェンヘ・リン ,  メイ-シェン・チョウ
Applicant, Patent owner： チャータード・セミコンダクター・マニュファクチャリング・リミテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001330845
Publication number (International publication number)：2002246388
Application date： Oct. 29, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 集積回路デバイスの製造において金属酸化物高誘電率層を形成する新規な方法を提供する。【解決手段】 基板を提供する。化学気相成長チャンバ中で、前駆物質を酸化体ガスと反応させることによって、基板上に金属酸化物層を堆積させる。該金属酸化物層は、酸化ハフニウム又は酸化ジルコニウムを含んでいても良い。該前駆物質は、金属アルコキシド、ハロゲンを含む金属アルコキシド、金属β-ジケトネート、金属弗化β-ジケトネート、金属オキソ酸、金属アセテート、又は金属アルケンを含んでいても良い。該金属酸化物層をアニールして稠密化し、集積回路デバイスの製造における金属酸化物誘電体層の形成を完了する。複合金属酸化物・酸化シリコン(MO2-SiO2)高誘電率層を、金属テトラシロキサンを含む前駆物質を用いて堆積させても良い。

Claim (excerpt)：

集積回路デバイスの製造において金属酸化物誘電体層を形成する方法であって、該方法が、基板を提供する工程;化学気相成長チャンバ中において、金属アルコキシド、ハロゲンを含む金属アルコキシド、金属β-ジケトネート、金属弗化β-ジケトネート、金属オキソ酸、金属アセテート及び金属アルケンから成る群の1つを含む前駆物質を、酸化体ガスと反応させることによって該基板上に金属酸化物層を堆積させる工程;及び該金属酸化物層をアニールして、稠密化し、該集積回路デバイスの製造における該金属酸化物誘電体層の形成を完了させる工程を含む前記方法。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (6)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 625 B

F-Term (66)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BB06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH07 ,  5F083AD16 ,  5F083AD60 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F110AA16 ,  5F110BB06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF06 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F140AA40 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD16 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• 特開昭64-050428
  
• 半導体装置の絶縁膜処理法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-242239   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭64-050428
  
• 成膜・改質集合装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-130258   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-127438   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-121647
  
• フッ化物薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181364   Applicant：山村硝子株式会社
• 耐薬品性能が優れたコーティング組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-048682   Applicant：東陶機器株式会社
• アルケンリガンド前駆体および合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-288869   Applicant：シャープ株式会社
• 反射防止性を有する光学部材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-199571   Applicant：ホーヤ株式会社
• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-122174   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• Zr/Hfケイ酸塩化学蒸着のための組成物および方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-528226   Applicant：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド