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J-GLOBAL ID：200903048626154660

感放射性樹脂組成物

Inventor： 永井 智樹 ,  小林 英一 ,  下川 努
Applicant, Patent owner： ジェイエスアール株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001234457
Publication number (International publication number)：2003043678
Application date： Aug. 02, 2001
Publication date： Feb. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 活性放射線、例えば、g線、i線等の紫外線、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザーもしくはF2 エキシマレーザー、EUVに代表される遠紫外線、もしくは電子線などに感応する化学増幅型レジストとして、解像度、環境耐性に加え、保存安定性に優れる感放射性組成物を提供すること。【解決手段】 特定構造を有する窒素含有化合物を含有する、感放射線性樹脂組成物を提供する。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、(B)感放射線性酸発生剤、並びに(C)(イ)酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂または(ロ)アルカリ可溶性樹脂およびアルカリ溶解性制御剤を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物。【化1】(式中、R1 、R2 、R3 、R4 およびR5 は、互いに独立に、水素原子または置換しても良い炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基を示し、R1 とR2 、R3 とR4 は、互いに連結して環を形成しても良い。)

IPC (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (19)：

2H025AA02 ,  2H025AA11 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC03 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-139097   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• アミン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-359331   Applicant：信越化学工業株式会社
• 塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-164044   Applicant：信越化学工業株式会社
• レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-351335   Applicant：信越化学工業株式会社
• フェニレンジアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-186548   Applicant：現代電子産業株式会社