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J-GLOBAL ID:200903094370574138

アミン化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001359331
Publication number (International publication number):2002226470
Application date: Nov. 26, 2001
Publication date: Aug. 14, 2002
Summary:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるアミン化合物。【化1】(式中、R1は炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィド基を1個又は複数個含んでいてもよい。R2は炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基である。R3は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はアルコキシ基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環又はカーボネート基を含んでいてもよい。R2とR3はそれぞれ結合してこれらが結合する酸素原子と共に環を形成してもよい。)【効果】 本発明のレジスト材料は、レジストの膜減り防止に対する効果が高く、解像性とフォーカスマージン拡大効果が高いものである。
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示されるアミン化合物。【化1】(式中、R1は炭素数2〜20の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基又はスルフィド基を1個又は複数個含んでいてもよい。R2は炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基である。R3は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はアルコキシ基であって、ヒドロキシ基、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環又はカーボネート基を含んでいてもよい。R2とR3はそれぞれ結合してこれらが結合する酸素原子と共に環を形成してもよい。)
IPC (10):
C07D295/08 ,  C07D295/14 ,  C07D303/22 ,  C07D307/12 ,  C07D307/33 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/38
FI (12):
C07D295/08 Z ,  C07D295/14 Z ,  C07D303/22 ,  C07D307/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/30 502 R ,  C07D307/32 Q ,  C07D307/32 G ,  C07D307/32 P
F-Term (37):
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096BA11 ,  2H096BA20 ,  2H096DA01 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096JA02 ,  2H096JA03 ,  4C037CA07 ,  4C037EA09 ,  4C037FA01 ,  4C048AA01 ,  4C048BB09 ,  4C048CC01 ,  4C048UU03 ,  4C048XX01 ,  4C048XX04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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