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J-GLOBAL ID：200903048892375265
露光用マスク及びそのパターンの補正方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000181919
Publication number (International publication number)：2001356465
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 チップ面積を増大させることなく、環境に応じたショートニングの抑制を可能とする露光用マスク及びそのパターンの補正方法を提供する。【解決手段】 素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。これにより、周囲の環境に応じて所望のマスクパターンを形成することができる。
Claim (excerpt)：
素子領域と交差するトランジスタのゲート配線を形成するためのマスクパターンの補正方法であって、前記素子領域から突き出している前記マスクパターンの複数の第1の突き出し部を抽出する工程と、前記複数の第1の突き出し部の線幅を算出する工程と、前記複数の第1の突き出し部の線幅が規定値よりも小さいか否かを判断し、前記複数の第1の突き出し部の中から線幅が前記規定値よりも小さい第2の突き出し部を抽出する工程と、前記第2の突き出し部から隣り合うマスクパターンまでの距離を算出する工程と、前記隣り合うマスクパターン間の距離に対する補正ルールを作成する工程と、前記補正ルールに従って、前記突き出し部に必要な補正を施し、補正パターンを作成する工程とを含むことを特徴とするマスクパターンの補正方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BC09
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