半導体装置の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003326611
Publication number (International publication number)：2004134788
Application date： Sep. 18, 2003
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】本発明は、配線抵抗に起因する電圧降下の影響を抑え、表示装置の画質を均質なものとすることを目的とする。また、駆動回路部と入出力端子とを電気的に接続する配線の遅延を抑え、駆動回路部の動作速度を向上させることを目的とする。【解決手段】本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜(以下、バリア性導電膜)を薄膜トランジスタ(以下、TFTと表記する)との間に設けることによりTFTの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。なお、銅を含む配線は、銅を主成分とする導電膜と、銅の拡散に対するバリア性を有するバリア性導電膜との積層膜からなる配線であり、銅を主成分とする導電膜の線幅を細くするための微細加工することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

導電膜を積層してなる配線を有する半導体装置の作製方法であって、絶縁表面上にバリア性を有する第1の導電膜を形成し、前記第1の導電膜をエッチング法により所望の形状とし、前記第1の導電膜上に銅を主成分とする第2の導電膜をマスクの開口部を介して形成し、さらにドライエッチング法により前記第2の導電膜の幅を細くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (7)：

H01L21/88 R , H01L21/28 301R , H05B33/14 A , H01L29/78 617L , H01L29/78 617K , H01L29/78 612C , H01L21/88 M

F-Term (100)：

3K007AB05 , 3K007AB17 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB34 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104FF06 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG15 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033MM17 , 5F033NN32 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR07 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX10 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F110AA03 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110FF04 , 5F110HJ23 , 5F110HL14 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置、半導体装置の製造方法、および半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-012699 Applicant：松下電子工業株式会社
発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-379725 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (6)

金属膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-218545 Applicant：日本電信電話株式会社
半導体素子の金属配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-071657 Applicant：沖電気工業株式会社
特開平3-195087

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