インサイチュプレクリーニングステップを含むウェーハ上のチタン化学気相堆積法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000523700
Publication number (International publication number)：2001525613
Application date： Nov. 06, 1998
Publication date： Dec. 11, 2001
Summary：

【要約】基板上にチタン膜を堆積するためのマルチステップ化学気相堆積方法に関する。堆積プロセスの第1のステップは、水素含有ガスを含む前処理ガスと不活性ガスが基板処理チャンバの堆積区域内に流入されるプラズマ前処理ステップを含む。第1の堆積ステップ中、プラズマが前処理ガスから形成され、少なくとも約5秒間維持され、基板のコンタクト領域に残ったあらゆる絶縁材料をエッチングし、チタン層堆積前にコンタクト領域を洗浄する。次に、第2の堆積ステップ中、チタン含有源と還元剤が堆積区域内に導入され、第1ステップで形成されたプラズマが維持され、基板上のチタン層が堆積される。好適な実施形態では、前処理ガスに含まれる水素含有源と第2の堆積ステップの処理ガスにある還元剤は、H2の同じ連続した流れである。

Claim (excerpt)：

基板上にすでに形成された絶縁層を有する基板上にチタン膜を堆積するための化学気相堆積方法であって、 (a)堆積区域内に基板を配置するステップと、 (b)第1の堆積ステップの間に、 (i)前処理ガスを前記堆積区域内に流すステップと、 (ii)前記堆積区域内に、前記前処理ガスからプラズマを形成するステップと、 (iii)前記基板から絶縁層の上側部分をエッチングするために前記プラズマを維持するのに適切な状態で前記堆積区域を維持するステップと、 (c)前記第1ステップ後の第2の堆積ステップ中に、 (i)チタン含有原料ガスを含む処理ガスと反応ガスを前記堆積区域内に流すステップと、 (ii)前記処理ガスからプラズマを形成するステップと、 (iii)前記基板上にチタン層を堆積させるために適した状態で前記堆積区域を維持するステップとを含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 , C23C 16/14

FI (2)：

H01L 21/285 C , C23C 16/14

F-Term (18)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA18 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA06 , 4K030FA03 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104DD22 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

高融点金属薄膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-323187 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-304794 Applicant：日本電気株式会社
液体原料の気化方法および供給装置ならびにそれを用いて構成された半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336301 Applicant：株式会社日立製作所

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Cited by examiner (5)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-323187 Applicant：ソニー株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336301 Applicant：株式会社日立製作所

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