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J-GLOBAL ID：200903049276241472

ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長

Inventor： ベンジャミン・エー・ハスケル ,  メルヴィン・ビー・マクローリン ,  スティーブン・ピー・デンバース ,  ジェームス・エス・スペック ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007515412
Publication number (International publication number)：2008501606
Application date： May. 31, 2005
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：

【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いm面GaN膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

(a)ハイドライド気相成長法によって平坦なm面GaN膜を直接成長させる工程、および (b)前記GaN膜の選択横方向成長を行って、前記平坦なm面GaN膜中の貫通転位と欠陥の密度を低減する工程 を備えたことを特徴とする、平坦なm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。

IPC (6)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (6)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

F-Term (61)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB14 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AP07 ,  5F173AP19 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-207783   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-128192   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (3)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社
• 単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-207783   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-128192   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Comparative study of GaN/AlGaN MQWs grown homoepitaxially on (1-100) and (0001) GaN
• Defect reduction in (11-20) a-plane gallium nitride via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapo

Cited by examiner (4)

• Comparative study of GaN/AlGaN MQWs grown homoepitaxially on (1-100) and (0001) GaN
• Comparative study of GaN/AlGaN MQWs grown homoepitaxially on (1-100) and (0001) GaN
• Defect reduction in (11-20) a-plane gallium nitride via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapo
• Comparative study of GaN/AlGaN MQWs grown homoepitaxially on (1-100) and (0001) GaN