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J-GLOBAL ID:200903049276241472

ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2007515412
Publication number (International publication number):2008501606
Application date: May. 31, 2005
Publication date: Jan. 24, 2008
Summary:
【課題】非常に平坦性で完全な透明性と鏡面性をもつm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。【解決手段】本方法は、選択横方向成長技術によって構造欠陥密度の大幅な低減を実現する。高品質で、一様で、厚いm面GaN膜は分極のないデバイスの成長のための基板として用いるために作製される。【選択図】図5
Claim (excerpt):
(a)ハイドライド気相成長法によって平坦なm面GaN膜を直接成長させる工程、および (b)前記GaN膜の選択横方向成長を行って、前記平坦なm面GaN膜中の貫通転位と欠陥の密度を低減する工程 を備えたことを特徴とする、平坦なm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。
IPC (6):
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (6):
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
F-Term (61):
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TB04 ,  4G077TC03 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB14 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA64 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD11 ,  5F045AF02 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F173AH22 ,  5F173AP07 ,  5F173AP19 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ13 ,  5F173AQ14 ,  5F173AQ15 ,  5F173AR82
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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