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J-GLOBAL ID：200903049343058513

シリコン酸化膜の製造方法

Inventor： 村瀬 仁俊 ,  下 俊久 ,  野村 信福 ,  豊田 洋通 ,  山下 浩 ,  倉本 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人愛媛大学
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005099536
Publication number (International publication number)：2006274426
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】 シリコン酸化膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明のシリコン酸化膜の製造方法は、シリコーン化合物を含む液体L中に生じ内部にプラズマが発生した気泡Bを基材Sの表面に接触させて、基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする。 本発明のシリコン酸化膜の製造方法によれば、液体状態のシリコーン化合物を原料として用い、液体L中の基材Sの表面にシリコン酸化膜を成膜することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコーン化合物を含む液体中に生じ内部にプラズマが発生した気泡を基材の表面に接触させて、該基材の表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/40 ,  H05H 1/24

FI (3)：

C23C16/50 ,  C23C16/40 ,  H05H1/24

F-Term (17)：

4K030AA06 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF41 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• プラズマCVD膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055356   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• フィルム成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-097265   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 特開昭63-112429号公報
  
• 脆性材料微粒子成膜体の低温成形法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-256580   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 東陶機器株式会社
• 液中プラズマ発生装置および薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-313979   Applicant：株式会社テクノネットワーク四国
• プラズマ電気めっき
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-541139   Applicant：チャク・マン・トーマス・チャン