半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005148110
Publication number (International publication number)：2006324584
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：

【課題】エレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性に優れた配線構造およびこの配線構造を少ない工程数で形成する形成方法を提供する。【解決手段】第1絶縁層102が有する下層溝の内面に第1拡散防止膜104を介して埋め込み形成された下層配線105と、下層配線105上に形成された高融点金属または高融点金属化合物からなる層間拡散防止膜106と、第2絶縁層108および層間拡散防止膜106を貫通して下層配線105に達するビアホール109の内面に形成された導電性の第2拡散防止膜112と、この第2拡散防止膜112を介してビアホール内に埋め込み形成された導電体114とを備え、ビアホール底部における下層配線105の上面から第2絶縁層108の側面にわたって層間拡散防止膜106の構成材料からなる付着膜106aが形成されたことを特徴とする配線構造。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

第1絶縁層と、この第1絶縁層が有する下層溝の内面に形成された第1拡散防止膜と、この第1拡散防止膜を介して前記下層溝内に埋め込み形成された下層配線と、前記下層配線上に形成された高融点金属または高融点金属化合物からなる層間拡散防止膜と、前記第1絶縁層および層間拡散防止膜の上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層および層間拡散防止膜を貫通して下層配線に達するビアホールの内面に形成された導電性の第2拡散防止膜と、この第2拡散防止膜を介してビアホール内に埋め込み形成され導電体とを備え、前記ビアホール底部における下層配線の上面から第2絶縁層の側面にわたって層間拡散防止膜の構成材料からなる付着膜が形成されたことを特徴とする配線構造。

IPC (1)：

H01L 21/768

FI (1)：

H01L21/90 A

F-Term (63)：

5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ28 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK28 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN17 , 5F033PP02 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ12 , 5F033QQ14 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX28 , 5F033XX31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

配線の形成方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-341076 Applicant：富士通株式会社
配線構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-318674 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-361912 Applicant：株式会社日立製作所
半導体素子の銅配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-424483 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-294231 Applicant：株式会社リコー

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